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一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件

摘要

本发明公开了一单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件,包括N型衬底层,用来支撑所述微显示器件;多个发光单元,设置在所述N型衬底层上方,被多条相互交叉的沟槽分隔开;所述沟槽中填有不透明光阑;每个发光单元的下台面设有下电极,顶部设有上电极。本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件,可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难,具有异面垂直的双条形的上、下电极,可以得到较为均匀的电流分布。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-24

    授权

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  • 2013-01-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/15 申请日:20120723

    实质审查的生效

  • 2012-11-21

    公开

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