公开/公告号CN102575900B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 ATI资产公司;
申请/专利号CN201080048029.7
发明设计人 R.M.福布斯琼斯;
申请日2010-08-10
分类号F27B3/20(20060101);F27D99/00(20060101);C22B9/16(20060101);H01J37/305(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人林斯凯
地址 美国俄勒冈州
入库时间 2022-08-23 09:22:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):F27B 3/20 授权公告日:20141217 终止日期:20160810 申请日:20100810
专利权的终止
2016-10-26
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):F27B 3/20 变更前: 变更后: 申请日:20100810
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-10-26
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):F27B 3/20 变更前: 变更后: 申请日:20100810
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-12-17
授权
授权
2014-12-17
授权
授权
2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):F27B 3/20 申请日:20100810
实质审查的生效
2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):F27B 3/20 申请日:20100810
实质审查的生效
2012-07-11
公开
公开
2012-07-11
公开
公开
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机译: 熔化炉的离子等离子体电子发射器
机译: 熔化炉,其包括焊丝放电离子等离子体电子发射器
机译: 等离子体熔化炉的密封填充方法包括:为发光材料等离子体熔化炉提供开放式真空;提供熔融材料管;将可激发材料置于真空中;通过该管排出真空;密封真空;以及将等离子体注入炉中。炉D和等离子密封的第二种方式。