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通过钠还原四氟化硅制备太阳能级多晶硅的装置和方法

摘要

本发明涉及一种通过钠还原四氟化硅法制备太阳能级多晶硅的装置和方法。该装置包括上下两室,上室为反应室,两室由通道相连接;上室内置石墨反应坩埚,石墨坩埚外围设有加热元件;石墨坩埚内底部呈倒锥形,中心开孔供液体物料坠入下室;该孔上覆盖一石墨双锥台,其上表面用于进行反应并阻挡液态钠直接坠入下室,该双锥台下锥的锥度与坩埚底部坡度相吻合,在该下锥的锥面上设有卸料通道,供液体物料汇流到石墨坩埚底部中心孔后坠入至下室的接收容器中。本发明利用氟化钠和硅的熔点差高效低成本地制得合格的太阳能级多晶硅,可以实现半连续的大规模工业生产。

著录项

  • 公开/公告号CN103193233B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310110863.X

  • 申请日2013-04-01

  • 分类号

  • 代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周政

  • 地址 100871 北京市海淀区中关村北大街116号北大科技园孵化器2003-B

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/033 授权公告日:20141126 终止日期:20180401 申请日:20130401

    专利权的终止

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2013-08-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/033 申请日:20130401

    实质审查的生效

  • 2013-08-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/033 申请日:20130401

    实质审查的生效

  • 2013-07-10

    公开

    公开

  • 2013-07-10

    公开

    公开

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