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纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法

摘要

一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层,中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时,缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时,缓冲层和绝缘层必须添加,以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制,从而达到影响和改变金属层的电导的作用,调控器件电阻的变化,获得不同的电场下对应不同的电阻态,实现电致电阻效应。

著录项

  • 公开/公告号CN102709470B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201110304804.7

  • 发明设计人 韩秀峰;刘厚方;瑞之万;

    申请日2011-09-27

  • 分类号H01L45/00(20060101);H01L43/08(20060101);H01L29/78(20060101);G11C13/00(20060101);

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁挥;鲍俊萍

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-12

    授权

    授权

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20110927

    实质审查的生效

  • 2012-10-03

    公开

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