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基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

摘要

本发明提供了一种基于半导体的超材料制备方法,该方法包括:在衬底上形成半导体层;在所述半导体层上涂覆一层光刻胶;以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻;根据预设电磁参数,在半导体层中掺入杂质;去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶,获得超材料。本发明实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2013-01-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q 15/00 申请日:20110601

    实质审查的生效

  • 2012-11-28

    公开

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