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CMOS MOEMS传感器器件

摘要

本发明涉及传感器器件。更具体的是,本发明涉及基于CMOS的微-光-电机传感器(MOEMS)器件,其中硅光发射器件,硅波导和硅探测器使用当前互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或绝缘体上硅片(SOI)技术来制造。依据本发明,提供了一种如下的传感器,其包含:基于硅的光发射结构;集成的能够探测机械偏转的电光机界面结构;集成的电子驱动和处理电路,用于探测诸如振动、运动、旋转、加速的物理参数。

著录项

  • 公开/公告号CN102483427B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 茨瓦内科技大学;

    申请/专利号CN201080036174.3

  • 发明设计人 卢卡斯·威廉·斯尼曼;

    申请日2010-06-15

  • 分类号G01P15/093(20060101);G01N21/25(20060101);G01N21/64(20060101);G02B6/35(20060101);H01L33/34(20060101);

  • 代理机构11012 北京邦信阳专利商标代理有限公司;

  • 代理人黄泽雄

  • 地址 南非比勒陀利亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01P 15/093 授权公告日:20141126 终止日期:20170615 申请日:20100615

    专利权的终止

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2012-08-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/093 申请日:20100615

    实质审查的生效

  • 2012-08-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/093 申请日:20100615

    实质审查的生效

  • 2012-05-30

    公开

    公开

  • 2012-05-30

    公开

    公开

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