潘宁负离子源陶瓷中子管

摘要

本发明属于改进的可关断中子源，具体涉及一种潘宁负离子源陶瓷中子管。本发明采用PIG型负离子源，产生氘（D）、氚（T）的负离子。离子源采用侧向引出或偏心引出方式，靶上加正高压，在去除引出束流中电子的情况下，引出束流都是单原子负离子，产生中子的束流利用率可以达到100%．采用这种结构的中子管在相同高压和束流下中子产额，比以往中子管提高大约2个数量级。以Φ50管为例，改进后寿命提高10倍以上，产额提高约100倍，稳定性不大于3％，成品率高于90％。