一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，包括：氧化、有源区及场限环光刻的步骤；掺杂与推进的步骤；多晶硅场板制作的步骤；铂扩散的步骤；减薄的步骤；形成N型缓冲层的步骤；接触掺杂和退火的步骤和金属化的步骤。采用本发明所述方法可以用来制造成本低、耐高压、漏电流小、正向压降小，恢复时间短且具有软恢复特性的超快恢复二极管芯片。