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一种合成不同晶型二氧化锰一维单晶纳米线的方法

摘要

一种合成二氧化锰一维单晶纳米线的方法,涉及一种纳米材料的制备方法。本发明以二价锰盐与过硫酸铵(高锰酸钾、次氯酸钠)为原料,以硫酸铵为原料添加剂,在密闭反应器中,于100~220℃的温度下进行水热反应,通过控制反应温度、反应时间和原料,可合成出不同晶型、不同长径比的一维二氧化锰单晶纳米线,即可选择性合成不同晶型二氧化锰(如α、β)一维单晶纳米线。该方法原料廉价易得,工艺简单,成本低,产品质量稳定,易于实现控制且工艺重复性好;可广泛用于锂离子电池、分子筛等以及相关领域的基础理论研究。

著录项

  • 公开/公告号CN1142103C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN02100707.1

  • 发明设计人 李亚栋;王训;

    申请日2002-01-18

  • 分类号C01G45/02;C30B29/16;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-03-19

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-03-17

    授权

    授权

  • 2002-11-06

    公开

    公开

  • 2002-08-07

    实质审查的生效

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