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抗激光损伤宽谱带减反膜的制备方法

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摘要

一种抗激光损伤宽谱带减反膜的制备方法是以正硅酸乙酯为前驱体，在氨水催化条件下，按比例加入水、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇，混和后充分搅拌进行反应、陈化、镀膜。具有制备条件温和，成本较低，操作简单，使制备出的SiO

著录项

  • 公开/公告号CN1167959C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院山西煤炭化学研究所;

    申请/专利号CN02140488.7

  • 发明设计人 孙予罕;章斌;吴东;范文浩;徐耀;

    申请日2002-07-19

  • 分类号G02B1/11;C03C17/30;B05C3/00;

  • 代理机构山西五维专利事务所有限公司;

  • 代理人李毅

  • 地址 030001 山西省太原市165信箱

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 1/11 授权公告日:20040922 终止日期:20120719 申请日:20020719

    专利权的终止

  • 2004-09-22

    授权

    授权

  • 2003-05-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-26

    公开

    公开

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