MEMS热电堆红外探测器芯片、其内芯片及本身的制造方法

摘要

本发明涉及一种MEMS热电堆红外探测器芯片，包括内芯片和位于内芯片上的红外滤窗，内芯片含有衬底，衬底设有正面、背面及自正面凹陷形成的空气腔体，空气腔体未贯穿衬底的背面，正面设有支撑部和红外吸热层，所述红外吸热层位于支撑部和空气腔体内，其厚度大于支撑部且小于空气腔体，并且其厚度不小于支撑部，在支撑部上设有热电堆，衬底与红外吸热层分别形成热电堆的冷端与热端，热电堆包括由不同导电材料所制成的第一、第二导电层，第一、第二导电层通过其末端的第一、第二电极引出，第一、第二电极的顶部露出，热电堆是由与CMOS工艺相兼容的材料制成，本发明制造方法可制造性较高且工艺简单。