形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法。其中，形成与相变材料对齐的位线的方法，包括于下电极的部分形成牺牲材料的基座以及形成相邻于牺牲材料的至少一介电材料，其中至少一介电材料具有一上表面，其实质地与牺牲材料基座的上表面共面。对至少一介电材料以及下电极具选择性地移除牺牲材料的基座以对下电极的露出表面提供开口。于下电极的露出表面上形成相变材料，并且将开口以导电填充材料填充。亦提供自对准回蚀程序。