具有不对称通道掺杂剂轮廓的器件及其制造方法

摘要

一种用于在DRAM阵列器件中的形成位线连接的方法，它改进了通道区域内的掺杂轮廓。该方法包括经过器件中的位线接触孔进行反掺杂离子注入。这种特殊的掺杂方法增加了阵列的位线侧上的通道区域内的掺杂剂浓度，而不会相应地增加掩埋条带侧的掺杂剂。这种掺杂轮廓导致器件的断开电流特性的改进。根据接触孔的高宽比，为了获得最大的断开电流系数，可以调节离子注入的倾斜角度。