荧光猝灭体系存在内滤效应时荧光猝灭率的精确校正方法

摘要

本发明公开了一种荧光猝灭体系存在内滤效应时荧光猝灭率的精确校正方法，其特征是首先校正竞争吸收对光谱的影响，然后校正再吸收对光谱的影响；再校正吸收分布对光谱的影响。本发明方法对荧光内滤效应和吸收分布的影响同时进行联合校正，确保了能够对猝灭体系的光谱实现精确校正，获得真实反映猝灭过程的荧光猝灭率。