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使用顺序化工品施加对半导体衬底进行表面处理的方法和装置

摘要

一种用于在蚀刻后清洁操作过程中从衬底表面上形成的金属栅极结构周围除去聚合物残留的系统和方法,包括确定与该金属栅极结构和要除去的该聚合物残留相关联的多个工艺参数。多个制造层限定该金属栅极结构而该工艺参数限定该制造层和该聚合物残留的性质。确定第一清洁化学物质和第二清洁化学物质并根据该工艺参数确定与该第一和第二清洁化学物质相关联的多个施加参数。使用施加参数以受控方式顺序施加该第一和第二施加化学物质以基本上除去该聚合物残留,同时保留该栅极结构的结构完整性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/302 授权公告日:20140820 终止日期:20190713 申请日:20090713

    专利权的终止

  • 2014-08-20

    授权

    授权

  • 2014-08-20

    授权

    授权

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/302 申请日:20090713

    实质审查的生效

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/302 申请日:20090713

    实质审查的生效

  • 2011-08-17

    公开

    公开

  • 2011-08-17

    公开

    公开

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