制造具有可选择扩散区域的半导体器件的方法以及所制成的伏打器件

摘要

本发明描述了一种制造包括片状半导体衬底(2)的半导体器件的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤1)把基于固体的杂质源的图案选择性地加到所述半导体衬底(2)的第一主表面；步骤2)在包围所述半导体衬底(2)的气体环境下，通过受控的热处理步骤使杂质原子从所述基于固体的杂质源扩散到所述衬底(2)中，杂质从所述基于固体的杂质源直接扩散到所述衬底(2)中以在刚好位于所述基于固体的杂质源的所述图案以下的所述衬底(2)中形成第一扩散区(12)，同时，所述杂质从所述基于固体的杂质源经由所述气体环境间接地扩散到所述衬底(2)中，以在所述衬底(2)的未被所述图案覆盖的至少一些区域中形成第二扩散区(15)；以及步骤3)形成基本上与所述第一扩散区(12)对准的金属触点图案(20)，而基本上无需蚀刻所述第二扩散区(15)。