一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种可应用于高密度磁存储的纳米结构材料的制备方法，具体的说是一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法。该制备方法包括以下步骤：①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积Co/Pt多层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有垂直磁各向异性纳米点。本方法制备的纳米点阵列边缘结构完整、存储性能好、垂直各向异性强的。