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介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件

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摘要

一种电路子组件，包括由介电组合物形成的介电层，在以该组合物的总体积计的情况下，该介电组合物包括：约15至约65体积百分比的介电填料；以及约35至约85体积百分比的热固性组合物，该热固性组合物包括：聚芳醚，以及羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物。

公开/公告号CN102481598B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-09

原文格式PDF
申请/专利权人罗杰斯公司;
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申请/专利号CN201080025702.5
发明设计人桑卡尔·K·保罗;斯科特·D·肯尼迪;迪尔克·M·巴尔斯;
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申请日2010-06-11
分类号B05D7/16(20060101);C08K3/00(20060101);C08K3/22(20060101);C08K3/36(20060101);C08L15/00(20060101);C08L71/12(20060101);C09J171/12(20060101);H05K1/03(20060101);H05K3/38(20060101);C08J5/18(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王萍;李春晖
地址美国康涅狄格州
入库时间 2022-08-23 09:20:05

1. 介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件 [P] . 中国专利： CN104053302B . 2017.08.29
2. 介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件 [P] . 中国专利： CN104053302A . 2014-09-17
3. DIELECTRIC MATERIALS, METHODS OF FORMING SUBASSEMBLIES THEREFROM, AND THE SUBASSEMBLIES FORMED THEREWITH [P] . 美国专利： US2014090767A1 . 2014-04-03

机译：介电材料，形成亚组件的方法以及由此形成的亚组件
4. DIELECTRIC MATERIALS, METHODS OF FORMING SUBASSEMBLIES THEREFROM, AND THE SUBASSEMBLIES FORMED THEREWITH [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010144792A9 . 2011-04-14

机译：介电材料，形成亚组件的方法以及由此形成的亚组件
5. DIELECTRIC MATERIALS, METHODS OF FORMING SUBASSEMBLIES THEREFROM, AND THE SUBASSEMBLIES FORMED THEREWITH [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010144792A1 . 2010-12-16

机译：介电材料，形成亚组件的方法以及由此形成的亚组件