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包含交替有源区材料的结构及其形成方法

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在结晶半导体衬底上形成交替材料区域的方法，以及由此形成的结构。这种交替材料区域适合于用作MOSFET或者其他电子或光电子器件中的有源区。

著录项

公开/公告号CN101268547B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-09

原文格式PDF
申请/专利权人琥珀波系统公司;
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申请/专利号CN200680032320.9
发明设计人安东尼·J·洛赫特费尔德;马修·T·柯里;程志渊;詹姆斯·菲奥里扎;
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申请日2006-07-26
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人秦晨
地址美国新罕布什尔
入库时间 2022-08-23 09:19:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-07-09

授权

授权
2008-11-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-17

公开

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