首页> 中国专利> 非易失性存储元件、其制造方法、其设计辅助方法及非易失性存储装置

非易失性存储元件、其制造方法、其设计辅助方法及非易失性存储装置

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。

著录项

公开/公告号CN102428560B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-02

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
展开▼

申请/专利号CN201180002106.X
发明设计人早川幸夫;三河巧;川岛良男;二宫健生;
展开▼

申请日2011-03-16
分类号H01L27/105(20060101);H01L45/00(20060101);H01L49/00(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人王成坤;胡建新
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:19:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-26

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/105 登记生效日:20200605 变更前: 变更后: 申请日:20110316

专利申请权、专利权的转移
2014-07-02

授权

授权
2014-07-02

授权

授权
2012-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/105 申请日:20110316

实质审查的生效
2012-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20110316

实质审查的生效
2012-04-25

公开

公开
2012-04-25

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 非易失性存储元件、其制造方法、其设计辅助方法及非易失性存储装置 [P] . 中国专利： CN102428560B . 2014.07.02
2. 非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储装置的制造方法 [P] . 中国专利： CN103999218B . 2016.11.30
3. NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, PRODUCTION METHOD THEREFOR, NONVOLATILE MEMORY UNIT, AND DESIGN ASSISTANCE METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENT [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012070238A1 . 2012-05-31

机译：非易失性存储元件，其制造方法，非易失性存储单元以及非易失性存储元件的设计辅助方法
4. Nonvolatile memory element, manufacturing method thereof, nonvolatile memory device, and design support method for nonvolatile memory element [P] . 美国专利： US8861257B2 . 2014-10-14

机译：非易失性存储元件，其制造方法，非易失性存储装置以及用于非易失性存储元件的设计支持方法
5. Non-volatile storage element, and its method of manufacture, design support method for the non-volatile memory element and a non-volatile storage device [P] . 日本专利： JPWO2012070238A1 . 2014-05-19

机译：非易失性存储元件及其制造方法，非易失性存储元件和非易失性存储装置的设计支持方法