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一种金属纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备和应用

摘要

本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途,属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag-BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土=7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素,形成掺杂稀土的Ag-BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料,用于各种光电阴极中,进行光电检测,超快光电信号转换等。

著录项

  • 公开/公告号CN1127113C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN01109133.9

  • 申请日2001-03-09

  • 分类号H01J1/34;H01J9/12;H01J40/06;C23C14/24;C23C14/00;G01J11/00;H01L31/18;H01L31/02;

  • 代理机构北京君尚知识产权代理事务所;

  • 代理人余长江

  • 地址 100871 北京市海淀区北京大学

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-05-09

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2003-11-05

    授权

    授权

  • 2002-08-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-10-31

    公开

    公开

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