首页> 中国专利> 一种碳基纳米管同轴异质结的模板法组装工艺

一种碳基纳米管同轴异质结的模板法组装工艺

摘要

本发明涉及一维纳米材料领域,特别是提供了一种碳基纳米管同轴异质结及其模板法组装工艺。异质结由外径相同的纯碳纳米管、N-掺杂碳纳米管或B-掺杂碳纳米管在其长度方向上同轴对接而成,碳基纳米管片段的外径相同,化学成分有差异,异质结外径、长度、壁厚根据需要调整。以阳极氧化铝孔道为模板,采用化学气相沉积过程与等离子体刻蚀工艺相结合,在同一模板上实现纳米管的累次生长和连接,从而获得同轴异质结。化学气相沉积过程采用不同反应源以生长所需成分的碳基纳米管,等离子体刻蚀可切除部分纳米管形成纳米管片段。本发明实现不同形式、成分、尺寸碳基纳米管异质结的控制合成,产物重复性好,工艺可调控性强,符合微电子行业发展的需要。

著录项

  • 公开/公告号CN102502573B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳建筑大学;

    申请/专利号CN201110318240.2

  • 发明设计人 佟钰;高见;曾尤;赵金波;李晓;

    申请日2011-12-08

  • 分类号

  • 代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张志伟

  • 地址 110168 辽宁省沈阳市浑南新区浑南东路9号

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B31/02 授权公告日:20140514 终止日期:20141208 申请日:20111208

    专利权的终止

  • 2016-01-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/02 授权公告日:20140514 终止日期:20141208 申请日:20111019

    专利权的终止

  • 2014-05-14

    授权

    授权

  • 2014-05-14

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/02 申请日:20111208

    实质审查的生效

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20111019

    实质审查的生效

  • 2012-06-20

    公开

    公开

  • 2012-06-20

    公开

    公开

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