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一种简化侧墙定义的两次图形曝光工艺的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种简化侧墙定义的两次图形曝光工艺的方法。通过减少传统侧墙定义的两次图形曝光中的曝光工艺,简化了工艺流程,相应的降低了工艺的成本,并提高了器件的良率。

著录项

  • 公开/公告号CN102437049B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110235262.2

  • 发明设计人 俞柳江;

    申请日2011-08-17

  • 分类号

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人王敏杰

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-04

    授权

    授权

  • 2012-06-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20110817

    实质审查的生效

  • 2012-05-02

    公开

    公开

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