公开/公告号CN102592999B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201210072930.9
申请日2012-03-19
分类号
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2022-08-23 09:19:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/335 授权公告日:20140604 终止日期:20170319 申请日:20120319
专利权的终止
2014-06-04
授权
授权
2014-06-04
授权
授权
2012-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20120319
实质审查的生效
2012-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20120319
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
2012-07-18
公开
公开
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机译: 一种通过选择性沉积SiGe或多量子阱(MQW)形成非常高迁移率的垂直沟道晶体管的方法
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