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波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法

摘要

本发明提供一种波导型等离子体共振传感器芯片的制作方法,包括以下步骤:制备带有图案的凸膜及金属墨水;使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上,使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽;将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于波导型等离子体共振传感器芯片的制作,且该方法工艺简单,能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片,有能力解决传感器芯片的制备需求,很好地满足目前的实际需要。

著录项

  • 公开/公告号CN102654458B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201210153737.8

  • 发明设计人 潘革波;李岩;肖燕;

    申请日2012-05-17

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-16

    授权

    授权

  • 2012-10-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/55 申请日:20120517

    实质审查的生效

  • 2012-09-05

    公开

    公开

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