具有垂直定向纳米棒的泄漏降低的DRAM存储器单元及其制造方法

摘要

本发明描述用于在半导体存储器存储单元中降低泄漏电流的方法及结构。可在存取晶体管(400)的沟道区(403)中使用垂直定向的纳米棒(410)。可使纳米棒直径足够小以使所述存取晶体管的所述沟道区中的电子带隙能量增加，从而可用以在所述存取晶体管的关闭状态下限制沟道泄漏电流。在各种实施例中，所述存取晶体管可电耦合到双面电容器(425)。本发明还揭示根据本发明实施例的存储器装置及包括所述装置的系统。