用于利用埋置型硅碳进行NMOSFET性能增强的超镶嵌方法

摘要

一种具有代位碳含量超过一个百分比以便通过向NFET的沟道区域施加拉应力而有效地增加电子迁移率的埋置型硅碳(Si:C)，尽管能够以充分高的代位碳含量沉积Si:C的工艺在本质上是非选择性的，但是可以通过超镶嵌工艺中的以下步骤来实现该埋置型硅碳：利用Si:C对由晶体管栅极结构形成的间隙或者沟槽进行过填充；以及将该Si:C进行抛光和刻蚀到凸起栅极结构的表面或者该表面以下，使得Si:C仅留在晶体管源极和漏极之上的所选区域中。