用于制造3D存储器阵列的共享X-线掩模和共享Y-线掩模

摘要

提供了一种使用数量少于器件层数量的位线掩模来制造三维存储器的结构和方法。第一位线掩模用来在第一器件级中形成第一位线层。第一位线层包含第一位线。第一位线掩模也用来在第二器件级中形成第二位线层。第二位线层包含第二位线。尽管采用同一掩模图案，但第一位线和第二位线具有到位线连接级的不同电气连接。