一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法

摘要

本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明能保证最终结果的最优性，在满足给定金属密度约束的前提下，最终获得的哑元金属带来的耦合电容增加量不超过最小增加量的倍。本方法解决了以往方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题，可以应用于解决大规模版图哑元填充问题。