硅基纳米杂化材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基纳米杂化材料的制备方法，以单晶硅纳米线、碱金属的碲氢化物、镉源化合物和含羧基的水溶性巯基化合物为原料，制备得到硅基纳米杂化材料。本发明采用微波辐射的方法，将所述水溶性巯基化合物中的C＝O键与单晶硅纳米线表面的Si-H键结合，并且将所述晶核中的Cd2+与所述水溶性巯基化合物中的巯基通过S-Cd键结合，从而得到晶核修饰的硅纳米线，晶核生长后得到硅基纳米杂化材料。由于CdTe量子点具有强发光特性，因此本发明制备的硅基纳米杂化材料具有较高的荧光强度。实验结果表明，本发明制备的量子点修饰的硅纳米线的发光效率为10～35％，量子点直径为50纳米。