法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-05
授权
授权
2013-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):C02F 3/30 申请日:20130203
实质审查的生效
2013-05-22
公开
公开
机译: 在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶,该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合,并且导电率高于半吉利德型,并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对,第二黄变相反当在第一和第二基极接触点之间连接一个插接的sbron时,并且在第一和第二基极接触点之间形成了一个绝热负负weerstandskarakteristiek,显示了这种半geleleiderinrichting。
机译: 在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶,该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合,并且导电率高于半吉利德型,并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对,第二黄变相反当在第一个和第二个基础接触之间连接一个插接的sbron时,在第一个和第二个基础接触之间就形成了一个绝热负的weerstandskarakteristiek,显示了这种半geleideriderrichting。
机译: schalungsbrettern归一化宽度的制造过程,此过程产生了schalungsbrett