公开/公告号CN102534567B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中微半导体设备(上海)有限公司;
申请/专利号CN201210077039.4
申请日2012-03-21
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
入库时间 2022-08-23 09:17:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-05
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/46 变更前: 变更后: 申请日:20120321
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-01-15
授权
授权
2014-01-15
授权
授权
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/46 申请日:20120321
实质审查的生效
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/46 申请日:20120321
实质审查的生效
2012-07-04
公开
公开
2012-07-04
公开
公开
查看全部
机译: 用于在基底表面的部分上产生材料层的腔室,用于原子层和化学气相沉积,具有形成为辐射源的加热源,通过该加热源可以逐步改变基底表面上的温度
机译: 用于控制化学气相沉积室内的基底的加热的设备和方法
机译: 化学气相沉积室内控制基体加热的装置和方法