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反向导通半导体器件及用于制造这样的反向导通半导体器件的方法

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摘要

对于用于制造具有形成为栅电极的第七层(7、7’)和在发射极侧(101)上的第一电接触(8)和在集电极侧(102)(其在发射极侧(101)的相对侧)上的第二电接触(9)的反向导通半导体器件(也称为反向导通绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT))(10)的方法，提供具有第一侧(111)和在第一侧(111)相对侧的第二侧(112)的第一导电类型的晶圆(11)。

著录项

公开/公告号CN101952968B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-12-18

原文格式PDF
申请/专利权人 ABB技术有限公司;
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申请/专利号CN200880127360.0
发明设计人 M·拉希摩;W·贾尼希;E·法贾诺;
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申请日2008-12-18
分类号H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101);H01L29/08(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人朱海煜;徐予红
地址瑞士苏黎世
入库时间 2022-08-23 09:17:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/739 授权公告日:20131218 终止日期:20171218 申请日:20081218

专利权的终止
2018-05-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/739 登记生效日:20180427 变更前: 变更后: 申请日:20081218

专利申请权、专利权的转移
2018-05-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20180427 变更前: 变更后: 申请日:20081218

专利申请权、专利权的转移
2013-12-18

授权

授权
2013-12-18

授权

授权
2013-12-18

授权

授权
2011-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20081218

实质审查的生效
2011-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20081218

实质审查的生效
2011-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20081218

实质审查的生效
2011-01-19

公开

公开
2011-01-19

公开

公开
2011-01-19

公开

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