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一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法

摘要

一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法。实现步骤为:(1)在磁约束聚变装置真空室中预先充入0.1-10Pa的气体;(2)在磁约束聚变装置真空室中布置高频天线,然后以磁约束聚变装置真空室为负极,伸入在磁约束聚变装置真空室中的高频天线为正级,在负极和正极之间施加电压为3-5KV、频率为20-50KHz、功率为2-10KW的高频场;(3)在高频场的电离下,气体被击穿并产生稳定的高频等离子体放电,将对磁约束聚变装置真空室第一壁进行有效的轰击,在经过1-10小时的放电清洗后,达到对第一壁的清洗。本发明能提高清洗效率1倍。

著录项

  • 公开/公告号CN102500589B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;

    申请/专利号CN201110369135.1

  • 申请日2011-11-20

  • 分类号

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人成金玉

  • 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):B08B 9/08 申请日:20111120

    实质审查的生效

  • 2012-06-20

    公开

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