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一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法

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本发明公开了一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，该方法首先制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；然后在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的金属原子簇；单金属原子或原子簇金属在设定温度400℃~800℃和Ar/H

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公开/公告号CN102689897B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-11-06

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN201210213139.5
发明设计人魏子钧;叶天扬;李晨;傅云义;黄如;张兴;
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申请日2012-06-25
分类号
代理机构北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:16:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-06

授权

授权
2012-11-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/04 申请日:20120625

实质审查的生效
2012-09-26

公开

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