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一种空间环境中的GaAs太阳电池性能退化预测方法

摘要

一种空间环境中的GaAs太阳电池性能退化预测方法,该方法有四大步骤:步骤一:GaAs太阳电池在空间环境中的一维模型的建立;步骤二:考虑空间粒子辐射损伤对载流子有效寿命的影响;步骤三:GaAs太阳电池温度的计算;步骤四:GaAs太阳电池性能退化的预测是通过计算伏安特性来实现。该方法考虑了空间热真空环境与辐射环境对GaAs太阳电池的耦合影响,通过建立GaAs太阳电池在空间环境中的一维模型,以少数载流子连续性方程为基础,数值计算GaAs太阳电池少数载流子寿命以及电池的稳态温度,从而得到GaAs太阳电池伏安特性,通过伏安特性便分析得到太阳电池性能的退化情况。本发明在空间用太阳电池电性能测试技术领域里具有实用价值和广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN102393503B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN201110359926.6

  • 发明设计人 范峥;张素娟;

    申请日2011-11-14

  • 分类号G01R31/265(20060101);

  • 代理机构11232 北京慧泉知识产权代理有限公司;

  • 代理人王顺荣;唐爱华

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/265 授权公告日:20131204 终止日期:20151114 申请日:20111114

    专利权的终止

  • 2013-12-04

    授权

    授权

  • 2012-05-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/265 申请日:20111114

    实质审查的生效

  • 2012-03-28

    公开

    公开

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