非易失性存储器编程操作中的可变编程电压增量值

摘要

多状态非易失性快闪存储器装置中的最低经编程状态可能在与其它状态相比时经受增加水平的位线到位线电容性电荷耦合。当将存储器单元编程到最低可编程状态时可使用较小值来递增作为渐增电压脉冲施加于存储器单元的编程电压。所述所施加的电压的较小增量实现较大的精度和较窄的阈值电压分布以补偿被编程到此状态的单元所经历的不成比例的电荷耦合。在一些实施方案中，当从下部页切换到上部页编程时可使用较小的增量值。在形成物理页的单元存储两个逻辑数据页且针对一个逻辑页的编程在接收用于另一逻辑页的数据之前开始的管线式编程结构中，当从对第一逻辑页进行编程切换到对所述两个页同时进行编程时可增加所述增量值。