法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C07C 31/02 授权公告日:20131030 终止日期:20140803 申请日:20110803
专利权的终止
2013-10-30
授权
授权
2012-01-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C07C 31/02 申请日:20110803
实质审查的生效
2011-11-30
公开
公开
机译: 液晶提纯-凝固相的区域熔炼
机译: 衬里和提纯方法以及使用用于熔炼的坩埚将耐熔坩埚表面用于提纯硅熔体的硅熔体进一步定向凝固的方法
机译: 用于熔炼硅熔体的耐火坩埚的内衬以及利用熔炼和进一步定向凝固的坩埚对硅熔体进行提纯的方法