公开/公告号CN102244093B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏捷捷微电子股份有限公司;
申请/专利号CN201110213223.2
申请日2011-07-28
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/74(20060101);H01L21/332(20060101);
代理机构32243 南京正联知识产权代理有限公司;
代理人卢海洋
地址 226200 江苏省启东科技创业园兴龙路8号
入库时间 2022-08-23 09:15:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-09-25
授权
授权
2012-05-23
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更前: 变更后: 申请日:20110728
著录事项变更
2012-02-15
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更前: 变更后: 申请日:20110728
著录事项变更
2012-02-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20110728
实质审查的生效
2011-11-16
公开
公开
机译: 半导体装置中扩散区域的横向扩散宽度评估方法
机译: 用于集成智能功率开关电路的平面高压晶体管,即横向扩散的金属氧化物半导体晶体管,具有氧化条,其氧化层在互连结构的区域上的长度大于结构的宽度。
机译: 完全隔离的横向扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法