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一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法

摘要

本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法,该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形,之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ,对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英,最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶,并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英,可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102681335B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201110061444.2

  • 申请日2011-03-15

  • 分类号G03F7/00(20060101);G03F7/30(20060101);G02B5/18(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-07

    授权

    授权

  • 2012-11-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20110315

    实质审查的生效

  • 2012-09-19

    公开

    公开

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