法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20130904 终止日期:20161202 申请日:20091202
专利权的终止
2013-09-04
授权
授权
2013-09-04
授权
授权
2012-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20091202
实质审查的生效
2012-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20091202
实质审查的生效
2011-10-05
公开
公开
2011-10-05
公开
公开
查看全部
机译: 减少掩模版上的多层缺陷
机译: 缺陷例如晶体生长缺陷,光刻掩模,即掩模版的检测方法,以产生例如集成电路,涉及检查图像集上的缺陷以评估图像中重复缺陷的存在
机译: 用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统