法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-08-07
授权
授权
2007-02-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-12-13
公开
公开
机译: 相变存储单元,形成相变存储单元的方法,具有相变存储单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子器件及其制造方法
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子系统及其制造方法