公开/公告号CN101557222B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN200910126398.2
发明设计人 全炳得;
申请日2009-03-10
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人杨林森
地址 韩国京畿道利川市
入库时间 2022-08-23 09:15:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 19/00 授权公告日:20130626 终止日期:20170310 申请日:20090310
专利权的终止
2013-06-26
授权
授权
2013-06-26
授权
授权
2009-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-14
公开
公开
2009-10-14
公开
公开
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机译: 氮化物半导体衬底,半导体层压材料,用于选择基板的程序,用于输出基板数据的程序,具有用于输出基板数据的程序的氮化物半导体衬底,具有离子坐标图的偏角坐标图,氮化物半导体衬底,用于选择半导体器件的程序,生产氮化物半导体衬底的方法,制造半导体层压材料的方法,制造半导体器件的方法,以及用于...的方法
机译: 半导体存储装置,具有该半导体存储装置的半导体集成电路以及在该半导体存储装置中输出数据的方法
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