一种增加半导体器件中MIM电容密度的方法及其结构

摘要

本发明公开一种提高半导体器件中MIM（金属-绝缘层-金属）电容密度的方法以及一种包含高密度MIM（金属-绝缘层-金属）电容的半导体器件，通过在基底的阻挡层上设置一层形貌层，刻蚀形貌层使得形貌层具有多个凹槽，使得覆盖在形貌层上的电容基板呈形貌状，来增大了电容基板面积，从而增大了电容密度，同时通过形貌层实现在大电容搭配铜金属极板。本发明相对现有技术并没有增加晶片的的面积，同时，本发明与传统工艺具有很强的兼容性。