使用Ⅳ族纳米颗粒在晶片基底上形成结区

摘要

在此披露了一种形成扩散区的方法。该方法包括在一个晶片的表面上沉积一种纳米颗粒墨以形成一个非致密的薄膜，该纳米颗粒墨具有成组的纳米颗粒，其中该纳米颗粒组中的至少一些纳米颗粒中包括掺杂剂原子。该方法还包括将非致密的薄膜加热到一个第一温度并持续第一时间段以便从沉积纳米颗粒墨中去除一种溶剂，并将非致密的薄膜加热到一个第二温度并持续第二时间段以形成一个致密化薄膜，其中至少一些掺杂剂原子扩散进入晶片之中以形成扩散区。