基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种在P型硅衬底上制备背接触式HIT太阳能电池的方法。本发明的制备工艺将常规晶硅生产工艺和薄膜太阳能电池生产工艺结合，方法简单，能够迅速产业化；太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，既避免了常规太阳能电池正面电极遮光的问题，又降低了对电极印刷精度和高宽比的要求；在组件生产中使用本电池可减少焊接工序，节约焊带，降低组件生产成本。