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在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法

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摘要

本发明公开了一种在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法，属于纳米材料制备技术。该方法包括以下过程：将成分为Fe

1. 在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法 [P] . 中国专利： CN102502585B . 2013.07.24
2. 在铁基非晶粉末上直接生长非晶碳纳米管的方法 [P] . 中国专利： CN102502586B . 2013.07.24
3. METHOD FOR PRODUCING Fe-BASE AMORPHOUS RIBBON FOR NANO- CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING NANO-CRYSTAL MATERIAL [P] . 日本专利： JP2001252749A . 2001-09-18

机译：纳米晶材料的铁基非晶态碳的制备方法及纳米晶材料的制备方法
4. PRODUCTION METHOD OF AMORPHOUS CARBON NANOPARTICLE AND AMORPHOUS CARBON NANOPARTICLE [P] . 日本专利： JP2016166102A . 2016-09-15

机译：非晶碳纳米颗粒和非晶碳纳米颗粒的生产方法
5. Method for low-temperature, hetero-epitaxial growth of thin film cSi on amorphous and multi-crystalline substrates and c-Si devices on amorphous, multi-crystalline, and crystalline substrates [P] . 美国专利： US2006208257A1 . 2006-09-21

机译：在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶，多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法