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一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法

摘要

一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法,主要应用于大尺寸半导体硅衬底片的超精密加工,能够获得纳米级超光滑表面。所述抛光液的组份和含量的重量百分比如下:二氧化硅磨料5~50;pH值调节剂1~10;表面活性剂0.01~5;助清洗剂0.01~0.05;螯合剂0.01~2:去离子水余量;所述二氧化硅以硅溶胶的状态加入。按上述组份和含量制成抛光液,在合适的抛光工艺条件下,获得了高质量的抛光表面,满足了半导体工业对硅衬底片表面质量和去除速率的要求,且本发明具有成本低、易清洗以及低腐蚀性等优点,具备很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN101870852B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京国瑞升科技有限公司;

    申请/专利号CN201010207551.7

  • 发明设计人 张永峰;王宝运;

    申请日2010-06-13

  • 分类号C09G1/02(20060101);C23F3/00(20060101);

  • 代理机构11129 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴小灿

  • 地址 100085 北京市海淀区上地信息路12号中关村发展大厦C座401室

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-15

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09G 1/02 变更前: 变更后: 申请日:20100613

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2013-07-10

    授权

    授权

  • 2010-12-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20100613

    实质审查的生效

  • 2010-10-27

    公开

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