在碳纳米管表面形成缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种在碳纳米管表面形成缺陷的方法，其包括如下步骤：提供一基底；将至少一第一碳纳米管设置在该基底的一表面；将至少一第二碳纳米管与所述至少一第一碳纳米管交叉且接触设置，所述第二碳纳米管的半径大于所述第一碳纳米管的直径；在该基底的表面沉积一掩膜层，所述掩膜层的厚度大于所述第一碳纳米管的直径且小于所述第二碳纳米管的半径；对沉积有掩膜层的基底进行刻蚀，去除所述第二碳纳米管且在所述第一碳纳米管与所述第二碳纳米管接触的部位形成至少一缺陷。