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一种静态随机存取内存及适用于其的方法

摘要

本发明揭露一种静态随机存取内存(SRAM)及适用于其的方法,所述静态随机存取内存包含一数据线、一反数据线以及一电流路径区域。电流路径区域包含至少二晶体管,用以在自一第一逻辑电压转移至一第二逻辑电压的期间,提供一电流路径至数据线,其中电流路径区域连接至数据线与反数据线。

著录项

  • 公开/公告号CN102157194B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201010227887.X

  • 发明设计人 李政宏;

    申请日2010-07-06

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈红

  • 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-15

    授权

    授权

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/41 申请日:20100706

    实质审查的生效

  • 2011-08-17

    公开

    公开

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